Senior CMOS analog/mixed signal design Engineer

Weiter zum Hauptinhalt Senior CMOS analog/mixed signal design Engineer Ferroelectric Memory Company Dresden Bewerben Werden Sie Mitglied oder loggen Sie sich ein, um Ihren nächsten Job zu finden Werden Sie Mitglied, um sich für die Position Senior CMOS analog/mixed signal design Engineer bei Ferroelectric Memory Company zu bewerben E-Mail-Adresse/Telefon Passwort Einblenden Passwort vergessen? Einloggen Mit E-Mail einloggen oder Neu bei LinkedIn? Mitglied werden Wenn Sie auf „Weiter“ klicken, um Mitglied zu werden oder sich einzuloggen, stimmen Sie der Nutzervereinbarung, der Datenschutzrichtlinie und der Cookie-Richtlinie von LinkedIn zu. Senior CMOS analog/mixed signal design Engineer Ferroelectric Memory Company Dresden Vor 2 Monaten 25 Bewerbungen Sehen Sie, wen Ferroelectric Memory Company für diese Position eingestellt hat Bewerben Werden Sie Mitglied oder loggen Sie sich ein, um Ihren nächsten Job zu finden Werden Sie Mitglied, um sich für die Position Senior CMOS analog/mixed signal design Engineer bei Ferroelectric Memory Company zu bewerben E-Mail-Adresse/Telefon Passwort Einblenden Passwort vergessen? Einloggen Mit E-Mail einloggen oder Neu bei LinkedIn? Mitglied werden Wenn Sie auf „Weiter“ klicken, um Mitglied zu werden oder sich einzuloggen, stimmen Sie der Nutzervereinbarung, der Datenschutzrichtlinie und der Cookie-Richtlinie von LinkedIn zu. Speichern Diesen Job melden Role OverviewWe are looking for an experienced IC Design Engineer with strong expertise in CMOS analog/mixed‑signal design and emerging NVM devices to help develop FMC’s next‑generation ferroelectric memory products based on hafnium oxide technology. You will work in close collaboration with international teams in Milan or Dresden to turn innovative memory concepts into robust silicon.Must HaveCMOS IC design (Analog/Mixed Signal), NVM Device Design, Design tools: Cadence, Verilog, Programming Ability: C, Verilog, Digital Design ConceptsResponsibilitiesDesign and develop emerging NVM memory devices based on hafnium oxide technology for FMC’s ferroelectric memory product portfolio.Define specifications and support the integration of analog and mixed‑signal blocks into the overall memory architecture.Design analog circuits for NVM memories (sense amplifiers, decoders, bandgaps, HV regulators, ADCs, etc.).Run PVT simulations and circuit verification, including parasitic extraction, to ensure performance and reliability.Collaborate closely with layout engineers to optimize robustness, matching, and area.Contribute to post‑silicon verification, debug, and optimization of memory IP and test chips. Your profile5-10 Years of experience and a Degree in Electrical Engineering or related field.Strong background in CMOS IC design (analog/mixed signal) and NVM device...