Senior CMOS analog/mixed signal design Engineer

Passer au contenu principal Senior CMOS analog/mixed signal design Engineer Ferroelectric Memory Company Grenoble Postuler Inscrivez-vous ou identifiez-vous pour trouver votre prochain emploi Inscrivez-vous pour postuler au poste de Senior CMOS analog/mixed signal design Engineer chez Ferroelectric Memory Company E-mail ou téléphone Mot de passe Afficher Mot de passe oublié ? S’identifier S’identifier avec un e-mail ou Nouveau sur LinkedIn ? Inscrivez-vous maintenant En cliquant sur Continuer pour vous inscrire ou vous identifier, vous acceptez les Conditions d’utilisation, la Politique de confidentialité et la Politique relative aux cookies de LinkedIn. Senior CMOS analog/mixed signal design Engineer Ferroelectric Memory Company Grenoble il y a 2 mois Faites partie des 25 premiers candidats Découvrez qui Ferroelectric Memory Company a recruté pour ce poste Postuler Inscrivez-vous ou identifiez-vous pour trouver votre prochain emploi Inscrivez-vous pour postuler au poste de Senior CMOS analog/mixed signal design Engineer chez Ferroelectric Memory Company E-mail ou téléphone Mot de passe Afficher Mot de passe oublié ? S’identifier S’identifier avec un e-mail ou Nouveau sur LinkedIn ? Inscrivez-vous maintenant En cliquant sur Continuer pour vous inscrire ou vous identifier, vous acceptez les Conditions d’utilisation, la Politique de confidentialité et la Politique relative aux cookies de LinkedIn. Enregistrer Signaler cette offre d’emploi Role OverviewWe are looking for an experienced IC Design Engineer with strong expertise in CMOS analog/mixed‑signal design and emerging NVM devices to help develop FMC’s next‑generation ferroelectric memory products based on hafnium oxide technology. You will work in close collaboration with international teams in Milan or Dresden to turn innovative memory concepts into robust silicon.Must HaveCMOS IC design (Analog/Mixed Signal), NVM Device Design, Design tools: Cadence, Verilog, Programming Ability: C, Verilog, Digital Design ConceptsResponsibilitiesDesign and develop emerging NVM memory devices based on hafnium oxide technology for FMC’s ferroelectric memory product portfolio.Define specifications and support the integration of analog and mixed‑signal blocks into the overall memory architecture.Design analog circuits for NVM memories (sense amplifiers, decoders, bandgaps, HV regulators, ADCs, etc.).Run PVT simulations and circuit verification, including parasitic extraction, to ensure performance and reliability.Collaborate closely with layout engineers to optimize robustness, matching, and area.Contribute to post‑silicon verification, debug, and optimization of memory IP and test chips.Your profile5-10 Years of experience and a Degree in Electrical Engineering or related field.Strong background in CMOS IC...